abstract: Предложено для повышения отказоустойчивости ячейки памяти SRAM использовать элементы с избыточным базисом функционально полные толерантные (ФПТ) элементы, обеспечивающие работоспособность в случаях отказов и сбоев соответствующих транзисторов. Описано моделирование стандартной ячейки памяти SRAM, а затем ее модификации с использованием функционально полных толерантных элементов. Подтверждена работоспособность ячейки памяти при однократных константных отказах (сбоях). Произведено сравнение с отказоустойчивой реализацией в виде троированной ячейки памяти с мажоритарным элементом на выходе, показывающее предпочтительность предложенной ячейки по показателям сложности, быстродействия и вероятности безотказной, бессбойной работы.
keywords: ячейка памяти sram, отказы и сбои, отказоустойчивость, мажоритирование, вероятность безотказной, бессбойной работы, система схемотехнического моделирования multisim