abstract: На основе выявленного эффекта повышения фоточувствительности высокоомных полупроводников при микро(нано)секундных экспозициях расширен диапазон использования фотополупроводников растровых регистраторов быстропротекающих процессов – до пико(фемто)секундных значений времен экспозиций.
keywords: эффект повышения фоточувствительности, полупроводник, микро(нано)секундные экспозиции, растровые регистраторы быстропротекающих процессов, пико(фемто)секундные экспозиции