CMP işleminde wafer yüzeyini pürüzsüzleştirmek ve düz hale getirmek için kimyasal ve mekanik etkiler kombine edilir. CMP bu bakımdan, aşındırma ve mekanik öğütme arasında çapraz bir işlemdir. CMP işlemi özellikle birçok farklı katmandan oluşan waferlerin işlenmesinde önemlidir. Çünkü katmanlar çok olunca yüzey giderek daha pürüzlü hale gelir. CMP teknolojisi kullanılarak, 0,3 nm’ye kadar olan mikroskopik düzensizlikler ortadan kaldırılabilir. Kusursuz yüzey sayesinde daha sonraki litografi işleminde entegre devrelerin baskısı da oldukça kolaylaştırılmış olur.