Herbert Kroemer
Yaşam[değiştir | kaynağı değiştir]
Herbert Kroemer Weimar’daki Friedrich Schiller lisesini bitirdikten sonra, 1947 yılında Jena şehrindeki Friedrich Schiller Üniversitesi’nde fizik eğitimine başladı. Friedrich Hund ve diğer hocaların derslerine devam etti. Batı Berlin’e yardım amacı ile kurulan Berlin Hava Köprüsü’nün kurulduğu dönemde staj yapmak üzere Berlin’de bulunan Kroemer, bu fırsattan yararlanarak batıya kaçtı ve eğitimine Göttingen’deki Georg August Üniversitesi’nde devam etti. 1952 yılında, Richard Becker’in yanında, teorik fizik dalında, sıcak elektronların Transistörlere etkileri konulu doktorasını yaptı. Hemen ardından Almanya Federal Posta İdaresi, Telekomünikasyon Merkezi’nde, kendi deyimiyle Uygulayıcı Teorisyen olarak işe başladı. 1954 yılında Amerika’ya gitti ve Princeton Üniversitesi’nde ve Palo Alto’da çeşitli araştırma ve geliştirme projelerinde çalıştı. 1968 ile 1976 yılları arasında Boulder’deki Colorado Üniversitesi’nde fizik profesörü olarak çalıştı, daha sonra Santa Barbara’daki California Üniversitesi’ne geçti.
Çalışmaları[değiştir | kaynağı değiştir]
Herbert Kroemer hiçbir zaman güncel konularda çalışmadı. Yıllar sonra kullanılabilecek konular üzerinde çalışmayı her zaman yeğlemiştir. 1950'li yıllarda üzerinde çalıştığı gigahertz frekanslarındaki performans yükseltici transistörleri mümkün kılan çalışması ve 1963 yılında geliştirdiği, laserle ilgili çalışma, ancak 1980'li yıllarda epitaxie’nin geliştirilmesinden sonra kullanılabilmiştir.
Santa Barbara'da çalıştığı zamanlar, teorik çalışmaların yanı sıra, deneysel çalışmalara da yöneldi. 1970'lerde molekül ışınları epitaxie geliştirme çalışmalarına katıldı ve bu çalışmalarda galyum ile fosfor'un birleştirilmesi (GaP) ve galyum ile arsenik birleştirmesi (GaAs) gibi yeni materyal kombinasyonlarını silisyum altkatmanları olarak üretti ve inceledi. 1985 yılından itibaren indiyum ile arsenik (InAs) birleştirilmesi, galyum ile antimon (GaSb) birleştirmeleri ve alüminyum ile antimon (AlSb) birleştirmeleri ile ilgilenmeye başladı.
2000 yılında Zhores Iwanowitsch Alferow ile birlikte Nobel Fizik Ödülü'nün yarısını, yüksek hız ve optoelektronikde kullanılan yarı iletken ayrı cins yapıların ("developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics") geliştirilmesi çalışmaları nedeni ile aldı. Ödülün diğer yarısı entegre çiplerin (Tümleşik devre) geliştirilmesi çalışmaları nedeni ile Jack Kilby'ye verildi.
Ödülleri[değiştir | kaynağı değiştir]
- J.J. Ebers Award, Institute of Electrical and Electronics Engineers(IEEE), 1973
- Heinrich-Welker-Medaille, International Symposium on GaAs and Related compounds, 1982
- National Lecturer, IEEE Electron Devices Society, 1983
- Jack Morton Award, IEEE, 1986
- Alexander von Humboldt Araştırma Ödülü, 1994
- Nobel Fizik Ödülü, 2000
- Friedrich Schiller Üniversitesi Fizik ve Astronomi Fakültesi tarafından verilen onursal doktora 20 Mayıs 2008