SOI geçmişi 90'lara dayanan ve kısaca silikon tabaka ile akımın aktığı köprü arasına iletken olmayan bir materyal yerleştirmek tekniği. Böylelikle hacmi azalan akım köprüsünün kapasitans değeri azaltılıyor ve yeniden yüklenme süresi normale göre çok daha az oluyor. Bu da MOS/CMOS yapıya göre yaklaşık %30 daha fazla hız ve %50 daha az güç tüketimi anlamına geliyor.
Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz: