Samsung, çoğu DDR4 modülünün kabaca iki katı olan 512GB DDR5 RAM'ini duyurdu. Belleğin, High-K Metal Gate (HKMG) fabrikasyon süreci ile üretildiği belirtildi. Aynı teknoloji GDDR6 için de kullanılıyor.
512 GB'lık bir hacim elde etmek için üretici, modülün her iki tarafında 20 adet 8 katmanlı yonga kullandı. Ancak bu yeni bir teknoloji değil, şirket bunu 2014'ten beri kullanıyor. Samsung, HKMG işlem teknolojisinin %13 daha fazla enerji verimliliği ve 7,200 Mbps'e kadar daha yüksek hız sağladığını belirtti. Aynı zamanda, DDR5 teknolojisi, daha hızlı RAM modülleri oluşturmaya da olanak tanıyor.
Tüketici segmentine önümüzdeki yıl gelecek
Koreli şirketin yeni belleği yapay zeka, makine öğrenimi, bulut bilişim için veri merkezleri, akıllı şehirler ve süper bilgisayarlar için kontrol merkezlerinin geliştirilmesinde kullanılacak. Saphire Rapids neslinin Intel Xeon işlemcileri, bu tür RAM'i ilk destekleyenler arasında olacak. Tüketici segmentinde ise DDR5 RAM formatının, bu yılın sonunda veya gelecek yılın başlarında görünmeye başlayacağı açıklandı.
Daha önce, Koreli şirket SK Hynix, ticari olarak temin edilebilen ilk DDR5 bellek modüllerini tanıtmıştı. Şimdilik sadece veri merkezlerinde kullanılacaklar.
Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz: