Yorktown Heights'taki IBM Araştırma Merkezi'nden bir grup bilim adamı, karbon nanotüplerin elektrik iletkenliğini incelemek için yeni bir yöntem geliştirdi. Bu durumda, kesik bir devre bu tüplerden biriyle köprülenir ve ayrıca bir transistörde, bir kontrol voltajında olduğu gibi uygulanır. Bu şekilde, nanotüpün elektronlarının ve deliklerinin kızılötesi ışık yayımı altında yeniden birleştiği yer tüpün uzunluğu boyunca kaydırılabilir. Bu, Fiziksel İnceleme Mektupları dergisinde yayınlanmaktadır (Cilt 93, Madde 076803). Phaedon Avouris ve meslektaşları tarafından incelenen düzenleme, bu durumda elektrik akımının ortak bir yarı iletkenden değil, yalnızca üç nanometre çapında bir yarı boyutlu karbon nanotüpten akması dışında, alan etkili bir transistöre benzer. Akım akışı, böyle bir tüpte elektronların zıt taşınması ve delikler adı verilen pozitif temel yüklerle gerçekleşir.
Deneyde, elektronların ve deliklerin nanotüpün ilgili ucundan birbirlerine ne kadar hızlı hareket ettiği kontrol voltajı vasıtasıyla kontrol etmek artık mümkündü. Görünüşe göre, düşük voltajlarda delikler elektronlardan çok daha hızlıydı ve tersi de doğruydu. Bu şekilde, iki şarj taşıyıcısının yeniden birleştirildiği yer tüp boyunca hareket ettirilebilir (filme bakınız). Araştırmacılar, işlemlerinin nanotüplerden gelecekteki entegre devrelerin üretilmesine katkıda bulunacağına inanıyor.
Stefan Maier
© science.de