Difüzyon transistör - Diffusion transistor
Bir difüzyon transistör a, BJT difüzyon ile oluşturulan (BJT) katkı maddelerini , bir içine yarı iletken alt-tabaka . Difüzyon süreci daha geç geliştirilmiş alaşımlı kavşakta ve kavşak yetiştirilen BJT'lerin yapılmasına mahsus yöntemleri.
Bell Labs 1954 yılında ilk prototip difüzyon transistörler geliştirdi.
içindekiler
Dağılmış-baz transistör
En erken difüzyon transistörleri vardı yayılmış-baz transistörler . Bu transistörler hala alaşım vericiler vardı ve bazen daha erken alaşım-kavşak transistörler gibi koleksiyoncuları alaşım. Sadece baz alt-tabakasına difüze edilmiş. Bazen alt-tabaka toplayıcı oluşturduğu gibi, ama transistörlerde Philco 'in mikro-alaşım dağınık transistörlerin alt-tabaka baz kütle oldu.
Çift difüzyon
Bell Labs At Calvin Souther Fuller doğrudan çift difüzyon ile yayıcı, tabanı ve kollektörü oluşturan bir aracı temel fiziksel anlayış üretmiştir. Yöntem Bell bilim tarihinin şöyle anlatıldı:
- "Fuller göstermişti kabul eden düşük atom ağırlığına göre daha hızlı yayılması vericilerden uygun farklı yüzey konsantrasyonlarının vericiler ve alıcılar aynı anda difüzyon ile mümkün n-p-n yapıları yapılır. İlk n tabaka (verici), çünkü oluşturulan (örneğin, donör daha büyük yüzey konsantrasyonu, antimon )., (örneğin, kabul edicinin daha hızlı yayılma bunun ötesinde oluşan bir baz alüminyum ). tabanının iç (toplayıcı) sınır ortaya burada dağınık alüminyum bir orjinal n-tip arkaplan doping aşırı telafi silikon . Elde edilen transistor temel katmanları 4 um kalınlığında. ... Meydana transistörleri vardı kesme frekansına 120 MHz."
Mesa transistör
Texas Instruments 1954 yılında yayılmış silikon ilk yetişkin kavşak silikon transistörler yapılan mesa transistör geliştirildi Bell Labs 1955 yılında ve de temin edilebilirler Fairchild Semiconductor 1958 yılında.
Bu transistörler yayılmış üsleri ve dağınık yayımlayıcılarını ikisine de sahip ilk edildi. Ne yazık ki, tüm önceki transistörler gibi, kolektör bazındaki bileşkenin kenarı da, gereken, yüzey kirlenme yoluyla sızıntıya hassas hale maruz kalmış hermetik yalıtım veya pasivasyon zamanla transistörün özelliklerinin bozulmasını önlemek için.
düzlemsel transistör
Düzlemsel transistör Dr tarafından geliştirilen Jean hoerni de Fairchild Semiconductor 1959 yılında düzlemsel sürecini kitlesel üretilen monolitik yapılan bu transistörleri yapmak için kullanılan entegre devreler mümkün.
Bu transistor bir silis sahip pasifleştirme zamanla transistörün özelliklerinin bozulma riski olmadan mümkün maliyetli bir plastik ambalaj yapım kontaminasyondan birleşme kenarları koruma katmanı.
Birinci düzlemsel transistörleri daha kötü özelliklere sahip alaşım bağlantısı transistörleri süresinin, ancak seri üretim olabilir ve hızlı bir şekilde bunları aşan, alaşım eklem transistörleri olup, çok daha az maliyetli olabilir ve düzlemsel transistörlerin özellikleri çok hızlı bir şekilde geliştirilmiş olarak Daha önce transistörler ve daha önceki transistörler eskimiş hale.