ATOMİK KATMAN KAPLAMA (ALD Kaplama)
Atomik Katman Kaplama (ALD) gaz haldeki bir kimyasal işlemi ardışık olarak kullanma üzerine kurulmuş olan bir ince film biriktirme tekniğidir. ALD reaksiyonlarının çoğu öncü (precursor) denilen iki kimyasal kullanmaktadır. Bu öncüler malzeme yüzeyi ile ardışık olarak kendini kısıtlayıcı bir biçimde reaksiyona girer. Farklı öncülere ardışık biçimde defalarca maruz kalınması ile bir ince film yavaşça biriktirilir.
ALD, kimyasal ya da fiziksel buhar biriktirme (CVD/PVD) ya da saçtırma gibi diğer ince film kaplama teknolojilerine göre avantajlar sağlar. Diğer ince film yöntemleri kaynak kontrollü biriktirmedir, ALD ise yüzey kontrollü bir yöntemdir. Kaynak kontrollü yöntemde, öncüler daha yüzeye çarpmadan reaksiyona girerler. Bu nedenle, elde edilen film homojen ya da yeterince koruyucu değildir ve silikon waferlardaki derin oyuklar gibi çok küçük yüzey detaylarında düzgün biçimde büyütülemez. Ayrıca, film üzerindeki çatlaklar ve gözenekler korozyona karşı korumayı önler. Geleneksel yöntemlerle atomik-düzeyde film kalınlık kontrolü de imkansızdır. ALD diğer filmlerin kalitesini arttırabilir - örneğin PVD ile üretilen daha kalın katmanlar üzerinde ALD bir dolgu olabilir ve alttaki PVD filmde bulunan gözenekleri kapatır. ALD, iyon bombardıman-bazlı kaplamaya göre yüzeye karşı daha naziktir.
Rotalab, Atomik Katman Biriktirme (ALD) ile korozyona karşı korumada iyi sonuçlar veren CORPRO ALD ünitesini sağlamaktadır. Kesintisiz ve yoğun biriktirme ile oluşan tamamen gözeneksiz ince filmler malzemeyi dış ortamdan tam olarak izole eder. Filmler, Nötr Tuz Püskürtme (Neutral Salt Spray, NSS) testinden geçmiştir.