Elektriksel İletimin Oluşumu
Gerçek germanyum kristaline en az enerji ΔE (örneğin 50°C ye kadar ısıtıldığında) verildiğinde bağ elektronları kafesten koparlar. Bunlar birer serbest elektron olarak yük taşıyıcıları haline gelmiştir. Kopan elektron arkasında, delik (hole) olarak adlandırılan bir elektron boşluğu bırakır. Kristal yapıda bu delik artık bir pozitif elamansal yüktür, böylece germanyum atomlarının pozitif çekirdek yükü ağır basar.
Resim 1: Delik iletiminin canlandırılması
Resim 1: Delik iletiminin canlandırılması
Bir yarıiletken kristalde bu elektron boşluğu (yani delik) başka bir bağa ait bir elektron tarafından doldurulur. Aslında delik yok olmaz, sadece kristal kafesteki deliğin yeri değişir. Eğer kristale bir pozitif gerilim uygulanırsa elektronlar pozitif elektroda doğru göç ederler. Aynı anda delikler negatif elektroda göç ederler ve bunun sonucunda pozitif yük taşıyıcıların etkisine denk bir elektriksel iletim meydana gelir.
Deliklerin yük taşınmasına olan katkısı P-iletimi; elektron iletimi ise N-iletimi olarak adlandırılır. Serbest elektronların ve deliklerin çifter çifter bir araya gelmelerine ikili birleşme, bir deliğin bir elektronla yeniden bir araya gelmesine ise yeniden birleşme (recombination) denilir. Bir yarı iletkende aynı anda birçok elektron ve deliklerin yer aldığı bu bu tür elektriksel iletim özgün (intrinsic) iletim olarak adlandırılır.