Diyot - Diode
Bir diyot , akımı esas olarak tek yönde (asimetrik iletkenlik ) ileten iki uçlu bir elektronik bileşendir ; bir yönde düşük (ideal olarak sıfır) dirence ve diğerinde yüksek (ideal olarak sonsuz) dirence sahiptir. Bir diyot vakum tüpü veya termiyonik diyot , iki elektrot , ısıtılmış bir katot ve elektronların katottan plakaya yalnızca bir yönde akabildiği bir plakaya sahip bir vakum tüpüdür . Günümüzde en yaygın kullanılan tür olan bir yarı iletken diyot , iki elektrik terminaline bağlı bir p – n bağlantısına sahip kristal bir yarı iletken malzeme parçasıdır . Yarı iletken diyotlar ilk yarı iletken elektronik cihazlardır . Bir kristal mineral ile bir metal arasındaki temas boyunca asimetrik elektrik iletiminin keşfi, 1874'te Alman fizikçi Ferdinand Braun tarafından yapıldı. Bugün, çoğu diyot silikondan yapılmıştır , ancak galyum arsenit ve germanyum gibi diğer yarı iletken malzemeler de kullanılmaktadır.
Ana fonksiyonlar
Bir diyotun en yaygın işlevi, bir elektrik akımının bir yönde (diyotun ileri yönü olarak adlandırılır) geçmesine izin verirken, ters yönde ( ters yönde) bloke etmektir . Bu nedenle, diyot, bir çek valfin elektronik bir versiyonu olarak görülebilir . Bu tek yönlü davranışa düzeltme denir ve alternatif akımı (ac) doğru akıma (dc) dönüştürmek için kullanılır . Doğrultucu formları , diyotlar, radyo alıcılarındaki radyo sinyallerinden modülasyon çıkarmak gibi görevler için kullanılabilir .
Bununla birlikte, doğrusal olmayan akım-voltaj özelliklerinden dolayı diyotlar, bu basit açma-kapama eyleminden daha karmaşık davranışlara sahip olabilir . Yarı iletken diyotlar, yalnızca ileri yönde belirli bir eşik voltajı veya kesme voltajı mevcutsa (diyotun ileri eğimli olduğu söylenen bir durum) elektrik iletmeye başlar . İleri eğimli bir diyot boyunca voltaj düşüşü, akımla sadece biraz değişir ve sıcaklığın bir fonksiyonudur; bu etki bir sıcaklık sensörü veya bir voltaj referansı olarak kullanılabilir . Ayrıca, diyotların ters yönde akan akıma karşı yüksek direnci, diyot boyunca ters voltaj, arıza voltajı adı verilen bir değere ulaştığında aniden düşük bir dirence düşer .
Bir yarı iletken diyotun akım-voltaj karakteristiği, yarı iletken malzemeler ve imalat sırasında malzemelere eklenen katkı safsızlıkları seçilerek uygun hale getirilebilir. Bu teknikler, birçok farklı işlevi yerine getiren özel amaçlı diyotlar oluşturmak için kullanılır. Örneğin, diyotlar voltajı düzenlemek ( Zener diyotları ), devreleri yüksek voltaj dalgalanmalarından ( çığ diyotları ) korumak , radyo ve TV alıcılarını ( varaktör diyotları ) elektronik olarak ayarlamak , radyo frekansı salınımları ( tünel diyotları , Gunn diyotları) oluşturmak için kullanılır , IMPATT diyotlar ) ve ışık ( ışık yayan diyotlar ) üretmek için . Tünel, Gunn ve IMPATT diyotları , mikrodalga ve anahtarlama devrelerinde yararlı olan negatif direnç sergiler .
Hem vakum hem de yarı iletken diyotlar, atış gürültüsü üreteçleri olarak kullanılabilir .
Tarih
Termiyonik ( vakum tüplü ) diyotlar ve katı hal (yarı iletken) diyotlar, radyo alıcı dedektörleri olarak 1900'lerin başında yaklaşık olarak aynı zamanda ayrı ayrı geliştirildi . 1950'lere kadar, radyolarda vakum diyotları daha sık kullanıldı çünkü erken nokta temaslı yarı iletken diyotlar daha az kararlıydı. Ek olarak, alıcı setlerin çoğunda, tüpe dahil edilen termiyonik diyotlara (örneğin 12SQ7 çift diyot triyot ) kolayca sahip olabilen amplifikasyon için vakum tüpleri vardı ve vakum tüplü redresörler ve gazla doldurulmuş redresörler bazı yüksek voltajları idare edebiliyordu. / yüksek akım düzeltme , o sırada mevcut olan yarı iletken diyotlardan ( selenyum doğrultucular gibi ) daha iyi işler .
Vakum tüpü diyotları
1873'te Frederick Guthrie , bir elektroskobun yakınına getirilen topraklanmış, beyaz-sıcak metal bir topun pozitif yüklü bir elektroskobu boşaltacağını, ancak negatif yüklü bir elektroskobu boşaltmadığını gözlemledi.
1880'de Thomas Edison, bir ampuldeki ısıtılmış ve ısıtılmamış elemanlar arasındaki tek yönlü akımı gözlemledi, daha sonra Edison etkisi olarak adlandırıldı ve bir DC voltmetrede kullanım için fenomenin uygulanması üzerine bir patent aldı .
Yaklaşık 20 yıl sonra, John Ambrose Fleming ( Marconi Şirketi'nin bilimsel danışmanı ve eski Edison çalışanı) Edison etkisinin bir radyo dedektörü olarak kullanılabileceğini fark etti . Fleming , 16 Kasım 1904'te İngiltere'de ilk gerçek termiyonik diyot olan Fleming valfinin patentini aldı (ardından Kasım 1905'te ABD Patenti 803.684 izledi ).
Vakum tüpü dönemi boyunca, valf diyotları radyolar, televizyonlar, ses sistemleri ve enstrümantasyon gibi hemen hemen tüm elektronik cihazlarda kullanıldı. Selenyum redresör teknolojisi nedeniyle 1940'ların sonlarından başlayarak pazar payını yavaş yavaş kaybettiler ve daha sonra 1960'larda yarı iletken diyotlara düştüler. Günümüzde, geçici gerilimlere dayanma yeteneklerinin ve sağlamlıklarının yarı iletken cihazlara göre onlara bir avantaj sağladığı birkaç yüksek güçlü uygulamada ve müzik enstrümanı ve odyofil uygulamalarında hala kullanılmaktadırlar.
Katı hal diyotları
1874'te Alman bilim adamı Karl Ferdinand Braun , bir metal ile bir mineral arasındaki bir temas boyunca "tek taraflı iletimi" keşfetti . Jagadish Chandra Bose , 1894'te radyo dalgalarını tespit etmek için bir kristali kullanan ilk kişiydi. Kristal dedektör , 1903'te bir silikon kristal dedektörü icat eden ve Kasım ayında bunun patentini alan Greenleaf Whittier Pickard tarafından kablosuz telgraf için pratik bir cihaz olarak geliştirildi . 20, 1906. Diğer deneyciler, detektör olarak diğer çeşitli mineralleri denediler. Yarı iletken ilkeleri, bu ilk redresörlerin geliştiricileri tarafından bilinmiyordu. 1930'larda gelişmiş fizik anlayışı sırasında ve 1930'ların ortalarında Bell Telephone Laboratories'deki araştırmacılar, kristal detektörün mikrodalga teknolojisindeki uygulama potansiyelini fark ettiler. Bell Labs , Western Electric , MIT , Purdue ve Birleşik Krallık'taki araştırmacılar, II.Dünya Savaşı sırasında radarda uygulama için yoğun bir şekilde nokta temaslı diyotlar ( kristal redresörler veya kristal diyotlar ) geliştirdiler. II.Dünya Savaşı'ndan sonra, AT&T bunları Amerika Birleşik Devletleri'ni çaprazlayan mikrodalga kulelerinde kullandı ve birçok radar seti 21. yüzyılda bile kullanıyor. 1946'da Sylvania 1N34 kristal diyotu sunmaya başladı. 1950'lerin başlarında bağlantı diyotları geliştirildi.
Etimoloji
Buluşları sırasında asimetrik iletim cihazları redresörler olarak biliniyordu . 1919 yılında, yıl tetrodes icat edildi, William Henry Eccles terim icat diyot gelen Yunan kökleri di (dan δί 'iki' anlamına gelen) ve gazel (den οδός 'yolunu' anlamına gelen). Kelime diyot , ancak, aynı zamanda triodun , TETRODE , pentot , hexode açısından olarak zaten kullanımda olan çok katlı telgraf .
Doğrultucular
Vakum tüpü diyotları
Bir termiyonik diyot, iki elektrot içeren kapalı, havası alınmış bir cam veya metal zarftan oluşan bir termiyonik valf cihazıdır : bir katot ve bir plaka . Katot, dolaylı olarak ısıtılır veya doğrudan ısıtılır . Dolaylı ısıtma kullanılıyorsa, zarfa bir ısıtıcı dahil edilir.
Çalışırken , katot yaklaşık 800–1,000 ° C (1,470–1,830 ° F) kırmızı ısıya ısıtılır . Doğrudan ısıtılmış bir katot, tungsten telden yapılır ve içinden harici bir voltaj kaynağından geçen bir akımla ısıtılır. Dolaylı olarak ısıtılmış bir katot, Nikrom telden oluşan ve harici bir voltaj kaynağı tarafından sağlanan akımla sağlanan yakındaki bir ısıtıcıdan gelen kızılötesi radyasyonla ısıtılır .
Katodun çalışma sıcaklığı, termiyonik emisyon adı verilen bir işlem olan elektronları vakuma salmasına neden olur . Katot ile kaplanır oksitler arasında toprak alkali metaller gibi, baryum ve strontiyum oksitler . Bunların düşük çalışma işlevi vardır , yani kaplanmamış katoda göre elektronları daha kolay yayarlar.
Isıtılmayan plaka elektron yaymaz; ama onları emebilir.
Doğrultulacak alternatif voltaj, katot ve plaka arasına uygulanır. Plaka voltajı katoda göre pozitif olduğunda, plaka elektrostatik olarak elektronları katottan çeker, böylece tüpün içinden katottan plakaya bir elektron akımı akar. Plaka voltajı katoda göre negatif olduğunda, plakadan elektron yayılmaz, bu nedenle plakadan katoda akım geçemez.
Yarı iletken diyotlar
Nokta temas diyotları
Nokta temaslı diyotlar, 1930'lardan başlayarak, erken kristal detektör teknolojisinin dışında geliştirildi ve şu anda genellikle 3 ila 30 gigahertz aralığında kullanılmaktadır. Nokta temaslı diyotlar, yarı iletken bir kristal ile temas halinde olan küçük çaplı bir metal tel kullanır ve kaynaksız temas tipi veya kaynaklı temas tipindedir. Kaynaksız temas yapısı, Schottky bariyer prensibini kullanır. Metal taraf, yarı iletken kristal ile temas halinde olan küçük çaplı bir telin sivri ucu. Kaynaklı temas tipinde, nispeten büyük bir akımın cihazdan anlık olarak geçirilmesiyle, imalat sırasında metal noktanın etrafında aksi takdirde N-tipi kristalde küçük bir P bölgesi oluşturulur. Nokta temas diyotları genellikle bağlantı diyotlarından daha düşük kapasitans, daha yüksek ileri direnç ve daha büyük ters kaçak sergiler.
Bağlantı diyotları
p – n bağlantı diyotu
Bir p – n bağlantı diyotu, yarı iletken kristalden , genellikle silikondan yapılır, ancak germanyum ve galyum arsenit de kullanılır. Bir tarafta n tipi yarı iletken olarak adlandırılan negatif yük taşıyıcıları (elektronlar) içeren bir bölge ve diğer tarafta p tipi yarı iletken adı verilen pozitif yük taşıyıcıları ( delikler ) içeren bir bölge oluşturmak için safsızlıklar eklenir. . N-tipi ve p-tipi malzemeler birbirine bağlandığında, n'den p tarafına anlık bir elektron akışı meydana gelir ve bu ikisi arasında hiçbir yük taşıyıcısının bulunmadığı üçüncü bir bölge ile sonuçlanır. Bu bölgeye tükenme bölgesi denir çünkü içinde yük taşıyıcıları (ne elektronlar ne de delikler) yoktur. Diyotun terminalleri n-tipi ve p-tipi bölgelere eklenir. P – n birleşimi olarak adlandırılan bu iki bölge arasındaki sınır , diyotun hareketinin gerçekleştiği yerdir. P tarafına ( anot ) N tarafına ( katot ) göre yeterince daha yüksek bir elektrik potansiyeli uygulandığında , elektronların tükenme bölgesinden N tipi taraftan P tipi tarafa akmasına izin verir. Bağlantı, potansiyel ters uygulandığında elektronların ters yönde akışına izin vermez, bir anlamda elektriksel bir çek valf oluşturur .
Schottky diyot
Akım-gerilim karakteristiği
Bir yarı iletken diyotun bir devredeki davranışı, akım-voltaj karakteristiği veya I – V grafiği ile verilir (aşağıdaki grafiğe bakın). Eğrinin şekli, yük taşıyıcılarının, farklı yarı iletkenler arasındaki p-n birleşim noktasında bulunan tükenme katmanı veya tükenme bölgesi denen bölgeden taşınmasıyla belirlenir . P-n eklemi ilk oluşturulduğunda, iletim bant N- (mobil) elektronlar katkılı P içine bölgesi dağınık katkılı delikler büyük bir nüfusun (elektronlar için boş yerler) olduğu bölge olan elektronlar "yeniden birleşir" ile . Bir mobil elektron bir delik ile yeniden birleştiğinde, hem delik hem de elektron kaybolur, geride N tarafında hareketsiz pozitif yüklü bir verici (katkı maddesi) ve P tarafında negatif yüklü alıcı (katkı maddesi) bırakır. P-n bağlantısının etrafındaki bölge, yük taşıyıcılarından tükenir ve bu nedenle bir yalıtkan olarak davranır .
Bununla birlikte, tükenme bölgesinin genişliği ( tükenme genişliği olarak adlandırılır ) sınırsız büyüyemez. Yapılan her elektron deliği çifti rekombinasyonu için, N katkılı bölgede pozitif yüklü bir katkı iyonu bırakılır ve P katkılı bölgede negatif yüklü bir katkı iyonu oluşturulur. Rekombinasyon ilerledikçe ve daha fazla iyon yaratıldıkça, tükenme bölgesi boyunca artan bir elektrik alanı gelişir ve bu da rekombinasyonu yavaşlatır ve sonunda durdurur. Bu noktada, tükenme bölgesinde "yerleşik" bir potansiyel vardır.
Ters önyargı
Dahili potansiyel ile aynı polariteye sahip diyot boyunca harici bir voltaj yerleştirilirse, tükenme bölgesi bir yalıtkan görevi görmeye devam ederek önemli bir elektrik akımı akışını önler (bağlantıda elektron deliği çiftleri tarafından aktif olarak oluşturulmadığı sürece) örneğin ışık; bkz. fotodiyot ). Buna ters önyargı fenomeni denir .
Ön yargı
Bununla birlikte, eğer harici voltajın polaritesi yerleşik potansiyele karşı çıkarsa, rekombinasyon bir kez daha devam edebilir ve p – n bağlantısı boyunca önemli bir elektrik akımı ile sonuçlanabilir (yani önemli sayıda elektron ve delik birleşim noktasında yeniden birleşir). Silikon diyotlar için yerleşik potansiyel yaklaşık 0,7 V'dir (germanyum için 0,3 V ve Schottky için 0,2 V). Bu nedenle, yerleşik voltajdan daha büyük ve zıt bir harici voltaj uygulanırsa, bir akım akacaktır ve diyotun, harici bir ileri eğilim verildiği için "açıldığı" söylenir . Genellikle diyotun, üzerinde ilettiği ve altında iletimin durduğu ileri bir "eşik" voltajına sahip olduğu söylenir. Ancak, ileriye doğru karakteristik düzgün olduğundan bu yalnızca bir yaklaşımdır (yukarıdaki IV grafiğine bakın).
Bir diyotun I – V karakteristiği , dört çalışma bölgesi ile yaklaşık olarak tahmin edilebilir:
- Çok büyük ters gerilimde , tepe ters voltajının veya PIV'nin ötesinde, akımda büyük bir artışa neden olan ters kırılma adı verilen bir süreç meydana gelir (yani, çok sayıda elektron ve delik oluşturulur ve p – n bağlantısından uzaklaşır. ) genellikle cihaza kalıcı olarak zarar verir. Çığ diyot kasten o şekilde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. In Zener diyot , PIV kavramı geçerli değildir. Bir Zener diyotu, elektronların p-tipi malzemenin değerlik bandından n-tipi malzemenin iletim bandına tünel açmasına izin veren ağır bir şekilde katkılanmış bir p-n bağlantısı içerir, öyle ki ters voltaj bilinen bir değere "kenetlenir" ( Zener voltajı denir ) ve çığ oluşmaz. Bununla birlikte, her iki cihazın da, sıkıştırılmış ters voltaj bölgesinde dayanabilecekleri maksimum akım ve güç için bir sınırı vardır. Ayrıca herhangi bir diyotta iletme iletiminin sona ermesinden sonra kısa bir süre için ters akım oluşur. Cihaz, ters akım kesilene kadar tam bloke etme kabiliyetine ulaşmaz.
- PIV'den daha düşük bir önyargı için ters akım çok küçüktür. Normal bir P – N doğrultucu diyot için, mikro amper (μA) aralığında cihazdan geçen ters akım çok düşüktür. Bununla birlikte, bu sıcaklığa bağlıdır ve yeterince yüksek sıcaklıklarda önemli miktarda ters akım gözlemlenebilir (mA veya daha fazla). Ayrıca, kusurlu bir yalıtkanmış gibi diyotun etrafında dolaşan elektronların neden olduğu küçük bir yüzey kaçak akımı da vardır.
- Sadece küçük bir ileri akım yürütülür, küçük öne doğru eğilim ile, akım-gerilim eğrisi olup, üstel ideal diyot denkleme uygun olarak. Diyotun önemli ölçüde iletmeye başladığı kesin bir ileri voltaj vardır. Buna diz voltajı veya kesme voltajı denir ve pn bağlantısının bariyer potansiyeline eşittir . Bu, üstel eğrinin bir özelliğidir ve burada gösterilen diyagramdan daha sıkıştırılmış bir akım ölçeğinde daha keskin görünür.
- Daha büyük ileri akımlarda, akım-voltaj eğrisine toplu yarı iletkenin omik direnci hakim olmaya başlar. Eğri artık üstel değildir, eğimi yığın direnci olan düz bir çizgiye asimptotiktir. Bu bölge özellikle güç diyotları için önemlidir. Diyot, sabit dirençli seri olarak ideal bir diyot olarak modellenebilir.
Nominal akımlarında çalışan küçük bir silikon diyotta, voltaj düşüşü yaklaşık 0,6 ila 0,7 volttur . Değer diğer diyot türleri için farklıdır - Schottky diyotlar 0,2 V, germanyum diyotlar 0,25 ila 0,3 V kadar düşük derecelendirilebilir ve kırmızı veya mavi ışık yayan diyotlar (LED'ler) sırasıyla 1,4 V ve 4,0 V değerlerine sahip olabilir.
Daha yüksek akımlarda, diyotun ileri voltaj düşüşü artar. Güç diyotları için tam anma akımında tipik olarak 1 V ila 1,5 V düşüş.
Shockley diyot denklemi
Shockley ideal diyot denklemi veya diyot kanunu (adını BJT eş buluş William Bradford Shockley ) ileri ya da ters ön (ya da herhangi bir önyargı) ideal bir diyot I-V özellik kazandırır. Aşağıdaki denklem, adı Shockley ideal diyot denklemi n 1'e eşit ayarlanır idealite faktörü:
nerede
- Ben diyot akımı
- I S , ters öngerilim doygunluk akımıdır (veya ölçek akımı),
- V D , diyot üzerindeki voltajdır,
- V , T ise ısıl gerilim ve
- n , kalite faktörü veya bazen emisyon katsayısı olarak da bilinen ideallik faktörüdür . İdeallik faktörü n , imalat sürecine ve yarı iletken malzemeye bağlı olarak tipik olarak 1'den 2'ye kadar değişir (ancak bazı durumlarda daha yüksek olabilir) ve "ideal" bir diyot durumunda 1'e eşit olarak ayarlanır (bu nedenle n bazen ihmal edilir) ). İdeallik faktörü, gerçek transistörlerde gözlemlendiği gibi kusurlu bağlantıları hesaba katmak için eklenmiştir. Faktör esas olarak yük taşıyıcıları tükenme bölgesini geçerken taşıyıcı rekombinasyonunu açıklar .
Termal gerilim V T , yaklaşık 300 K 25.85 mV yaygın aygıt simülasyonu yazılımında kullanılan "oda sıcaklığı" için bir sıcaklık yakındır. Herhangi bir sıcaklıkta şu şekilde tanımlanan bilinen bir sabittir:
Ters doygunluk akımı, I S , belirli bir cihaz için sabit değildir, ancak sıcaklığa göre değişir; genellikle V T'den daha önemlidir , böylece V D tipik olarak T arttıkça azalır .
Shockley ideal diyot denklemi veya diyot yasası diyot akıma sebebiyet veren tek işlemler sürüklenme (nedeniyle elektrik alanına), difüzyon ve ısı olduğu varsayımı ile elde edilir rekombinasyon nesil (R-G) (bu denklem yukarıda n = 1 ayarlanarak türetilir). Ayrıca tükenme bölgesindeki R – G akımının önemsiz olduğunu varsayar. Bu, Shockley ideal diyot denkleminin ters arıza ve foton destekli R – G ile ilgili süreçleri hesaba katmadığı anlamına gelir . Ek olarak, iç direnç nedeniyle yüksek ileri sapmada I – V eğrisinin "dengelenmesini" tanımlamaz. İdeallik faktörünün tanıtılması, n, taşıyıcıların rekombinasyonu ve oluşumunu açıklar.
Ters öngerilim voltajları altında , diyot denklemindeki üstel önemsizdir ve akım, - I S'nin sabit (negatif) bir ters akım değeridir . Ters kırılma bölgesi , Shockley diyot denklemi ile modellenmemiştir.
Oldukça küçük ileri ön gerilim gerilimleri için bile üstel değer çok büyüktür çünkü termal gerilim kıyaslandığında çok küçüktür. Diyot denkleminde çıkarılan '1' daha sonra ihmal edilebilir ve ileri diyot akımı yaklaşık olarak hesaplanabilir.
Diyot denkleminin devre problemlerinde kullanımı diyot modelleme makalesinde gösterilmektedir .
Küçük sinyal davranışı
Doyma geriliminden daha düşük ileri gerilimlerde, çoğu diyotun gerilime karşı akım karakteristik eğrisi düz bir çizgi değildir. Akım , önceki bölümde bahsedildiği gibi yaklaşık olarak tahmin edilebilir.
Detektör ve mikser uygulamalarında akım Taylor serisi ile tahmin edilebilir. Garip terimler, mikserin veya detektörün geçiş bandının dışında olan frekans bileşenleri ürettikleri için ihmal edilebilir. İkinci türevin ötesindeki terimlerin bile genellikle dahil edilmesine gerek yoktur çünkü bunlar ikinci dereceden terime kıyasla küçüktür. İstenilen akım bileşeni, giriş voltajının karesiyle yaklaşık olarak orantılıdır, bu nedenle bu bölgedeki yanıta kare yasası denir .
Ters kurtarma etkisi
Ap – n tipi diyotta iletme iletiminin sona ermesinin ardından, kısa bir süre için ters akım akabilir. Cihaz, bağlantı noktasındaki mobil şarj bitene kadar bloke etme kabiliyetine ulaşmaz.
Büyük akımları çok hızlı değiştirirken etki önemli olabilir. "Ters iyileşme süresi" bir miktar t r (birkaç mikro saniye için nanosaniye onlarca civarında) ters toparlanma şarj kaldırmak için gerekli olabilir S r diyot. Bu iyileşme süresi boyunca, diyot aslında ters yönde hareket edebilir. Bu, diyot ters eğilimliyken kısa bir süre için ters yönde büyük bir sabit akıma neden olabilir. Böyle bir ters akımın büyüklüğü, çalışma devresi (yani seri direnç) tarafından belirlenir ve diyotun depolama aşamasında olduğu söylenir. Bazı gerçek dünya vakalarında, bu ideal olmayan diyot etkisinin neden olduğu kayıpları dikkate almak önemlidir. Bununla birlikte, akımın dönüş hızı çok şiddetli olmadığında (örn. Hat frekansı), etki güvenli bir şekilde göz ardı edilebilir. Çoğu uygulamada, etki Schottky diyotları için de ihmal edilebilir düzeydedir .
Ters akım, depolanan şarj bittiğinde aniden kesilir; bu ani durdurma, son derece kısa darbelerin üretilmesi için adım kurtarma diyotlarında kullanılmaktadır.
Yarı iletken diyot türleri
Yukarıda açıklandığı gibi çalışan normal (p – n) diyotlar genellikle katkılı silikon veya germanyumdan yapılır . Silikon güç doğrultucu diyotların geliştirilmesinden önce bakır oksit ve daha sonra selenyum kullanılmıştır. Düşük verimlilikleri, uygulanacak çok daha yüksek bir ileri voltaj gerektirdi (tipik olarak, yüksek voltajlı redresörlerde uygulama için en yüksek ters voltaj oranını artırmak için birden fazla hücre istiflenmiş olarak, "hücre" başına 1,4 ila 1,7 V) ve büyük bir soğutucu gerektirdi (genellikle diyotun metal substratının bir uzantısı ), aynı akım değerlerine sahip sonraki silikon diyottan çok daha büyüktür. Tüm diyotların büyük çoğunluğu, pim başına iki diyot ve diğer birçok dahili diyot içeren CMOS entegre devrelerinde bulunan p-n diyotlardır.
- Çığ diyotları
- Bunlar, ters öngerilim voltajı arıza voltajını aştığında ters yönde hareket eden diyotlardır. Bunlar elektriksel olarak Zener diyotlarına çok benzer (ve genellikle yanlışlıkla Zener diyotları olarak adlandırılır), ancak farklı bir mekanizma ile bozulur : çığ etkisi . Bu, p – n bağlantısı boyunca uygulanan ters elektrik alanı, bir çığı andıran ve büyük bir akıma yol açan bir iyonlaşma dalgasına neden olduğunda meydana gelir. Çığ diyotları, iyi tanımlanmış bir ters voltajda zarar görmeden parçalanacak şekilde tasarlanmıştır. Çığ diyotu (yaklaşık 6.2 V'un üzerinde ters bir kırılmaya sahip olan) ile Zener arasındaki fark, öncekinin kanal uzunluğunun elektronların ortalama serbest yolunu aşması ve bu da kanal boyunca giderken aralarında birçok çarpışmaya neden olmasıdır. İki tür arasındaki tek pratik fark, zıt kutuplara sahip sıcaklık katsayılarına sahip olmalarıdır.
- Sabit akım diyotları
- Bunlar aslında , geçidi kaynağa kısa devre yapan JFET'lerdir ve voltaj sınırlayıcı Zener diyotuna iki terminalli akım sınırlayıcı bir analog gibi işlev görürler. İçlerinden geçen bir akımın belirli bir değere yükselmesine ve ardından belirli bir değerde dengelenmesine izin verirler. Ayrıca adı CLDS , sabit akım diyotlar , diyot-bağlı transistörler ya da akım düzenleyici diyot .
- Kristal doğrultucular veya kristal diyotlar
- Bunlar nokta temaslı diyotlardır. 1N21 serisi ve diğerleri, radar ve mikrodalga alıcılarında mikser ve dedektör uygulamalarında kullanılır. 1N34A, bir kristal diyotun başka bir örneğidir.
- Gunn diyotları
- Bunlar, negatif diferansiyel direnç bölgesi sergileyen GaAs veya InP gibi malzemelerden yapılmaları bakımından tünel diyotlara benzer . Uygun öngerilim ile, çift kutuplu alanlar oluşur ve diyot boyunca hareket ederek yüksek frekanslı mikrodalga osilatörlerinin oluşturulmasına izin verir .
- Işık yayan diyotlar (LED'ler)
- Galyum arsenit gibi doğrudan bir bant aralığı yarı iletkeninden oluşturulan bir diyotta , bağlantı noktasından geçen yük taşıyıcıları , diğer taraftaki çoğunluk taşıyıcıyla yeniden birleştiklerinde fotonlar yayar . Malzemeye bağlı olarak, kızılötesinden yakın ultraviyole dalga boyları (veya renkler) üretilebilir. İlk LED'ler kırmızı ve sarıydı ve zamanla daha yüksek frekanslı diyotlar geliştirildi. Tüm LED'ler tutarsız, dar spektrumlu ışık üretir; "beyaz" LED'ler aslında sarı sintilatör kaplamalı mavi bir LED veya farklı renkteki üç LED kombinasyonudur. LED'ler ayrıca sinyal uygulamalarında düşük verimli fotodiyotlar olarak da kullanılabilir. Bir LED, bir opto-izolatör oluşturmak için aynı pakette bir fotodiyot veya fototransistör ile eşleştirilebilir .
- Lazer diyotlar
- Paralel uç yüzlerin parlatılmasıyla oluşturulan bir rezonant boşlukta LED benzeri bir yapı bulunduğunda , bir lazer oluşturulabilir. Lazer diyotlar genellikle optik depolama cihazlarında ve yüksek hızlı optik iletişim için kullanılır .
- Termal diyotlar
- Bu terim, hem sıcaklıkla değişen ileri voltajları nedeniyle sıcaklığı izlemek için kullanılan geleneksel p – n diyotları için hem de termoelektrik ısıtma ve soğutma için Peltier ısı pompaları için kullanılır . Peltier ısı pompaları yarı iletkenlerden yapılabilir, ancak herhangi bir düzeltme bağlantıları olmamasına rağmen, ısıyı hareket ettirmek için N ve P tipi yarı iletkendeki yük taşıyıcıların farklı davranışlarını kullanırlar.
- Fotodiyotlar
- Tüm yarı iletkenler, optik yük taşıyıcı üretimine tabidir . Bu tipik olarak istenmeyen bir etkidir, bu nedenle çoğu yarı iletken, ışığı bloke eden malzemede paketlenmiştir. Fotodiyotlar ışığı algılamaya yöneliktir ( fotodetektör ), bu nedenle ışığın geçmesine izin veren malzemelerle paketlenirler ve genellikle PIN (ışığa en duyarlı diyot türü) şeklindedirler. Bir fotodiyot, güneş pillerinde , fotometride veya optik iletişimde kullanılabilir . Çoklu fotodiyotlar, tek bir cihazda, doğrusal bir dizi veya iki boyutlu bir dizi olarak paketlenebilir. Bu diziler, yüke bağlı cihazlarla karıştırılmamalıdır .
- PIN diyotları
- Bir PIN diyotu, bir p-tipi / içsel / n-tipi yapı oluşturan merkezi katkısız veya içsel bir katmana sahiptir. Radyo frekans anahtarları ve zayıflatıcılar olarak kullanılırlar. Aynı zamanda büyük hacimli iyonlaştırıcı radyasyon dedektörleri ve fotodetektörler olarak da kullanılırlar . PIN diyotları, merkezi katmanları yüksek voltajlara dayanabildiğinden güç elektroniğinde de kullanılır . Ayrıca, PIN yapısı, IGBT'ler , güç MOSFET'leri ve tristörler gibi birçok güç yarı iletken cihazında bulunabilir .
- Schottky diyotları
- Schottky diyotları metalden yarı iletken kontağa kadar inşa edilmiştir. P – n bağlantı diyotlarından daha düşük ileri voltaj düşüşüne sahiptirler. Yaklaşık 1 mA ileri akımlardaki ileri voltaj düşüşleri, 0.15 V ila 0.45 V aralığındadır, bu da onları voltaj sıkıştırma uygulamalarında ve transistör doygunluğunun önlenmesinde yararlı kılar . Ters kaçak akımları genel olarak diğer diyotlardan daha yüksek olmasına rağmen, düşük kayıplı redresör olarak da kullanılabilirler . Schottky diyotları çoğunlukla taşıyıcı cihazlardır ve bu nedenle diğer birçok diyotu yavaşlatan azınlık taşıyıcı depolama problemlerinden muzdarip değildirler - bu nedenle p – n bağlantı diyotlarından daha hızlı bir ters geri kazanıma sahiptirler. Ayrıca, yüksek anahtarlama hızları ve anahtarlamalı güç kaynağı , mikserler ve dedektörler gibi yüksek hızlı devrelerde ve RF cihazlarında kullanımlarını sağlayan p – n diyotlardan çok daha düşük bağlantı kapasitansına sahip olma eğilimindedirler .
- Süper bariyer diyotları
- Süper bariyer diyotları, Schottky diyodunun düşük ileri voltaj düşüşünü normal bir p – n bağlantı diyotunun aşırı gerilim işleme yeteneği ve düşük ters kaçak akımıyla birleştiren doğrultucu diyotlardır.
- Altın katkılı diyotlar
- Bir katkı maddesi olarak altın (veya platin ), azınlık taşıyıcılarının hızlı bir şekilde yeniden birleşmesine yardımcı olan rekombinasyon merkezleri olarak işlev görür. Bu, diyotun daha yüksek bir ileri voltaj düşüşü pahasına sinyal frekanslarında çalışmasına izin verir. Altın katkılı diyotlar diğer p – n diyotlarından daha hızlıdır (ancak Schottky diyotları kadar hızlı değildir). Ayrıca Schottky diyotlarından daha az ters akım kaçağına sahiptirler (ancak diğer p – n diyotları kadar iyi değildir). Tipik bir örnek 1N914'tür.
- Snap-off veya Step kurtarma diyotları
- Kademeli kurtarma terimi , bu cihazların ters geri kazanım karakteristiğinin biçimi ile ilgilidir. Bir SRD'de ileri akım geçtikten ve akım kesildikten veya tersine çevrildikten sonra, ters iletim aniden duracaktır (adım dalga formunda olduğu gibi). SRD'ler, bu nedenle, yük taşıyıcılarının aniden kaybolmasıyla çok hızlı voltaj geçişleri sağlayabilir.
- Stabistörler veya İleri Referans Diyotları
- Terimi stabistor son derece kararlı sahip diyot özel bir tipi ile ilgilidir ileri gerilim özellikleri. Bu cihazlar, geniş bir akım aralığında garantili bir voltaj ve oldukça kararlı aşırı sıcaklık gerektiren düşük voltajlı stabilizasyon uygulamaları için özel olarak tasarlanmıştır.
- Geçici voltaj bastırma diyotu (TVS)
- Bunlar, diğer yarı iletken cihazları yüksek voltajlı geçişlerden korumak için özel olarak tasarlanmış çığ diyotlarıdır . P – n bağlantılarının, normal bir diyotunkinden çok daha büyük bir kesit alanı vardır, bu da büyük akımları toprağa hasara maruz kalmadan iletmelerine izin verir.
- Tünel diyotları veya Esaki diyotları
- Bunlar, kuantum tünellemenin neden olduğu negatif direnci gösteren , sinyallerin yükseltilmesine ve çok basit iki kararlı devrelere izin veren bir çalışma bölgesine sahiptir . Yüksek taşıyıcı konsantrasyonu nedeniyle tünel diyotları çok hızlıdır, düşük (mK) sıcaklıklarda, yüksek manyetik alanlarda ve yüksek radyasyonlu ortamlarda kullanılabilir. Bu özelliklerinden dolayı genellikle uzay araçlarında kullanılırlar.
- Varikap veya varaktör diyotları
- Bunlar voltaj kontrollü kapasitörler olarak kullanılır . Bunlar PLL ( faz kilitli döngü ) ve FLL ( frekans kilitli döngü ) devrelerinde önemlidir ve televizyon alıcıları gibi ayar devrelerinin hızlı bir şekilde frekansa kilitlenmesine izin verir. Ayrıca, ucuz ve kararlı, ancak sabit frekanslı bir kristal osilatörün voltaj kontrollü bir osilatör için referans frekansı sağladığı radyoların erken ayrık ayarında ayarlanabilir osilatörleri etkinleştirdiler .
- Zener diyotları
- Bunlar ters önyargılı (geriye doğru) yürütülmesi için yapılabilir ve doğru şekilde ters kırılma diyotları olarak adlandırılır. Zener arızası adı verilen bu etki , kesin olarak tanımlanmış bir voltajda meydana gelir ve diyotun hassas voltaj referansı olarak kullanılmasına izin verir. Zener diyotları terimi, halk arasında çeşitli arıza diyotlarına uygulanır, ancak kesin olarak konuşursak, Zener diyotları 5 voltun altında bir kırılma voltajına sahipken, bu değerin üzerindeki arıza voltajları için çığ diyotları kullanılır. Pratik voltaj referans devrelerinde, Zener ve anahtarlama diyotları, diyotların sıcaklık katsayısı tepkisini sıfıra yakın dengelemek için seri ve zıt yönlerde bağlanır. Yüksek voltajlı Zener diyotları olarak etiketlenen bazı cihazlar aslında çığ diyotlarıdır (yukarıya bakın). Aynı pakette seri ve ters sırada iki (eşdeğer) Zener, geçici bir emici (veya Transorb , tescilli bir ticari marka) oluşturur.
Yarı iletken diyotların diğer kullanımları arasında sıcaklığın algılanması ve analog logaritmaların hesaplanması bulunur (bkz. İşlemsel amplifikatör uygulamaları # Logaritmik çıktı ).
Grafik semboller
Bir devre şemasında belirli bir diyot tipini temsil etmek için kullanılan sembol , genel elektrik fonksiyonunu okuyucuya aktarır. Farklılıklar küçük olsa da, bazı diyot türleri için alternatif semboller vardır. Sembollerdeki üçgen, ileri yönü, yani geleneksel akım akışı yönünü gösterir .
Işık yayan diyot (LED)
Diyot sembolü ile aynı hizada tipik diyot paketleri. İnce çubuk katodu gösterir .
Numaralandırma ve kodlama şemaları
ÇED / JEDEC
Standartlaştırılmış 1N-serisi numaralandırma EIA370 sistemi, 1960'larda ABD'de EIA / JEDEC (Birleşik Elektron Cihazı Mühendislik Konseyi) tarafından tanıtıldı. Çoğu diyotun 1-ön ek tanımı vardır (örneğin, 1N4003). Bu serideki en popüler arasında: 1N34A / 1N270 (germanyum sinyali), 1N914 / 1N4148 (silikon sinyali), 1N400x (silikon 1A güç redresör) ve 1N580x (silikon 3A güç doğrultucu).
JIS
JIS yarı iletken belirleme sistemi "1 S" ile başlayan tüm yarı iletken diyot belirtme sahiptir.
Pro Electron
Aktif bileşenler için Avrupa Pro Electron kodlama sistemi 1966'da piyasaya sürüldü ve iki harf ve ardından parça kodu içeriyor. İlk harf, bileşen için kullanılan yarı iletken malzemeyi temsil eder (A = germanyum ve B = silikon) ve ikinci harf, parçanın genel işlevini temsil eder (diyotlar için, A = düşük güç / sinyal, B = değişken kapasite, X = çarpan, Y = doğrultucu ve Z = voltaj referansı); Örneğin:
- AA serisi germanyum düşük güç / sinyal diyotları (ör. AA119)
- BA serisi silikon düşük güç / sinyal diyotları (örneğin BAT18 silikon RF anahtarlama diyotu)
- BY serisi silikon doğrultucu diyotlar (örneğin, BY127 1250V, 1A doğrultucu diyot)
- BZ serisi silikon Zener diyotları (örneğin, BZY88C4V7 4.7V Zener diyot)
Diğer yaygın numaralandırma / kodlama sistemleri (genellikle üretici tarafından yönlendirilen) şunları içerir:
- GD serisi germanyum diyotlar (ör. GD9) - bu çok eski bir kodlama sistemidir
- OA serisi germanyum diyotlar (ör. OA47) - bir İngiliz şirketi olan Mullard tarafından geliştirilen bir kodlama dizisi
İlgili cihazlar
Optikte, diyot için ancak lazer ışığı ile eşdeğer bir cihaz , ışığın yalnızca bir yönde geçmesine izin veren Optik Diyot olarak da bilinen Optik izolatör olacaktır . Ana bileşen olarak bir Faraday döndürücü kullanır .
Başvurular
Radyo demodülasyonu
Diyot için ilk kullanım, genlik modülasyonlu (AM) radyo yayınlarının demodülasyonuydu . Bu keşfin tarihi, kristal detektör makalesinde derinlemesine işlenmiştir . Özet olarak, bir AM sinyali, genliği veya zarfı orijinal ses sinyali ile orantılı olan bir radyo taşıyıcı dalganın alternatif pozitif ve negatif tepe noktalarından oluşur . Diyot düzeltir taşıyıcı dalganın sadece pozitif tepeleri bırakarak AM radyo frekans sinyali. Ses daha sonra basit bir filtre kullanılarak düzeltilmiş taşıyıcı dalgadan çıkarılır ve ses dalgaları üreten bir ses yükselticisine veya dönüştürücüye beslenir .
Mikrodalga ve milimetre dalga teknolojisinde, 1930'lardan başlayarak, araştırmacılar kristal detektörü geliştirdiler ve minyatürleştirdiler. Radar, mikrodalga ve milimetre dalga dedektörlerinde nokta temas diyotları ( kristal diyotlar ) ve Schottky diyotları kullanılır.
Güç dönüşümü
Doğrultucular , alternatif akım (AC) elektriğini doğru akıma (DC) dönüştürmek için kullanıldıkları diyotlardan yapılmıştır . Otomotiv alternatör DC içine AC rectifies diyot, daha iyi performans sağlayan yaygın bir örnek vardır komütatör veya önceki dinamo . Benzer şekilde, Cockcroft-Walton voltaj çarpanlarında AC'yi daha yüksek DC voltajlarına dönüştürmek için diyotlar da kullanılır .
Ters voltaj koruması
Çoğu elektronik devre, güç kaynağı girişlerinin kutupları ters çevrildiğinde zarar görebileceğinden, bu tür durumlara karşı koruma sağlamak için bazen bir seri diyot kullanılır. Bu kavram, aynı anlama gelen birden fazla adlandırma varyasyonuyla bilinir: ters voltaj koruması, ters polarite koruması ve ters pil koruması.
Aşırı voltaj koruması
Diyotlar, hassas elektronik cihazlardan uzakta hasara neden olan yüksek gerilimleri iletmek için sıklıkla kullanılır. Normal koşullar altında genellikle ters önyargılıdırlar (iletken değildirler). Voltaj normal aralığın üzerine çıktığında, diyotlar ileriye dönük (iletken) hale gelir. Örneğin, diyotlar ( kademeli motor ve H köprüsü ) motor kontrolöründe ve röle devrelerinde , aksi takdirde meydana gelebilecek zarar verici voltaj yükselmeleri olmadan bobinlerin enerjisini hızlı bir şekilde kesmek için kullanılır. (Böyle bir uygulamada kullanılan bir diyota geri dönüş diyotu denir ). Birçok entegre devre , harici voltajların hassas transistörlerine zarar vermesini önlemek için bağlantı pimlerinde diyotlar da içerir . Daha yüksek güçte aşırı gerilimlerden korunmak için özel diyotlar kullanılır ( yukarıdaki Diyot türlerine bakın ).
Mantık kapıları
İyonlaştırıcı radyasyon dedektörleri
Yukarıda bahsedilen ışığa ek olarak, yarı iletken diyotlar daha enerjik radyasyona duyarlıdır . Gelen elektronik , kozmik ışınlar ve iyonlaştırıcı radyasyon nedeni diğer kaynaklardan gürültü bakliyat ve tekli ve çoklu bit hataları. Bu etkiden bazen parçacık detektörleri tarafından radyasyonu tespit etmek için yararlanılır . Binlerce veya milyonlarca elektron volt enerjili tek bir radyasyon parçacığı , enerjisi yarı iletken malzemede biriktiği için birçok yük taşıyıcı çifti oluşturur. Tükenme tabakası, tüm duşu yakalayacak veya ağır bir parçacığı durduracak kadar büyükse, basitçe iletilen yük ölçülerek ve manyetik spektrometrenin karmaşıklığı vb. Olmadan, parçacığın enerjisinin oldukça doğru bir ölçümü yapılabilir. Bu yarı iletkenler. radyasyon dedektörleri verimli ve tek tip şarj toplamaya ve düşük kaçak akıma ihtiyaç duyar. Genellikle sıvı nitrojen ile soğutulurlar . Daha uzun menzilli (yaklaşık bir santimetre) parçacıklar için çok büyük bir tükenme derinliğine ve geniş bir alana ihtiyaçları vardır. Kısa menzilli parçacıklar için, çok ince olması için en az bir yüzeyde herhangi bir temasa veya tükenmemiş yarı iletkene ihtiyaçları vardır. Geri öngerilim voltajları neredeyse bozuluyor (yaklaşık santimetre başına bin volt). Germanyum ve silikon yaygın malzemelerdir. Bu dedektörlerden bazıları enerjinin yanı sıra konumu da algılar. Özellikle radyasyon hasarı nedeniyle ağır parçacıkları tespit ederken sınırlı bir ömürleri vardır. Silikon ve germanyum, gama ışınlarını elektron duşlarına dönüştürme yeteneklerinde oldukça farklıdır .
Yüksek enerjili parçacıklar için yarı iletken dedektörler çok sayıda kullanılmaktadır. Enerji kaybı dalgalanmaları nedeniyle, biriktirilen enerjinin doğru ölçümü daha az kullanışlıdır.
Sıcaklık ölçümleri
Diyot boyunca ileri voltaj düşüşü, silikon bant aralığı sıcaklık sensöründe olduğu gibi sıcaklığa bağlı olduğundan, sıcaklık ölçüm cihazı olarak bir diyot kullanılabilir . Yukarıda verilen Shockley ideal diyot denkleminden , voltajın pozitif bir sıcaklık katsayısına sahip olduğu (sabit bir akımda) görünebilir , ancak genellikle ters doygunluk akım teriminin değişimi, termal voltaj terimindeki varyasyondan daha önemlidir. Bu nedenle çoğu diyot, negatif bir sıcaklık katsayısına sahiptir, silikon diyotlar için tipik olarak 2 mV / ° C. Yaklaşık 20 kelvin üzerindeki sıcaklıklar için sıcaklık katsayısı yaklaşık olarak sabittir . 1N400x serisi ve CY7 kriyojenik sıcaklık sensörü için bazı grafikler verilmiştir.
Mevcut direksiyon
Diyotlar, istenmeyen yönlerdeki akımları önleyecektir. Elektrik kesintisi sırasında bir elektrik devresine güç sağlamak için devre bir bataryadan akım çekebilir . Bir kesintisiz güç kaynağı gerektiğinde akımı sadece aküden çekilir sağlamak için bu şekilde diyotlar kullanabilir. Benzer şekilde, küçük tekneler tipik olarak her birinin kendi bataryası / bataryası olan iki devresine sahiptir: biri motoru çalıştırmak için kullanılır; biri ev içi için kullanılır. Normalde, her ikisi de tek bir alternatörden şarj edilir ve alternatör çalışmadığında daha yüksek şarjlı bataryanın (tipik olarak motor bataryası) düşük şarjlı bataryadan boşalmasını önlemek için ağır hizmet tipi bölünmüş şarj diyotu kullanılır.
Diyotlar ayrıca elektronik müzikal klavyelerde de kullanılır . Elektronik müzikal klavyelerde ihtiyaç duyulan kablo miktarını azaltmak için, bu enstrümanlar genellikle klavye matris devrelerini kullanır . Klavye denetleyicisi, oynatıcının hangi notaya bastığını belirlemek için satırları ve sütunları tarar. Matris devrelerindeki sorun, birkaç notaya aynı anda basıldığında, akımın devre boyunca geriye doğru akması ve "hayalet" notaların çalınmasına neden olan "hayalet tuşları " tetiklemesidir . İstenmeyen notaları tetiklemekten kaçınmak için çoğu klavye matris devresinde, müzikal klavyenin her bir tuşunun altındaki anahtarla lehimlenmiş diyotlar bulunur . Aynı prensip, katı hal tilt makinelerinde anahtar matrisi için de kullanılır .
Dalga formu kesme aracı
Diyotlar, bir sinyalin pozitif veya negatif sapmasını önceden belirlenmiş bir voltajla sınırlamak için kullanılabilir.
Kelepçe
Bir diyot kelepçe devresi , pozitif ve negatif değerler arasında salınan periyodik bir alternatif akım sinyalini alabilir ve bunu, pozitif veya negatif zirvelerin önceden belirlenmiş bir seviyede meydana geleceği şekilde dikey olarak yer değiştirebilir. Kıskaç, sinyalin tepeden tepeye gezinmesini sınırlamaz, tepeleri referans seviyesinde yerleştirmek için tüm sinyali yukarı veya aşağı hareket ettirir.
Kısaltmalar
Diyotlar, genellikle şu şekilde ifade edilir D ile diyot için PCB . Bazen kristal redresör için CR kısaltması kullanılır.
Ayrıca bakınız
- Aktif düzeltme
- Diyot modelleme
- Lambda diyot
- Pn kavşağı
- Küçük sinyal modeli
- Alev düzeltme
- Hızlı / UltraFast Diyot
Referanslar
daha fazla okuma
- Süreli yayınlar
- Katı Hal Diyotları ; yaşlar; 2001. (arşiv)
- Silikon Doğrultucu El Kitabı ; 1. Baskı; Bob Dale; Motorola; 213 sayfa; 1966. (arşiv)
- Elektronik Düzeltme ; FG Spreadbury; D. Van Nostrand Co. 1962.
- Zener Diyot El Kitabı ; Uluslararası Doğrultucu; 96 sayfa; 1960.
- FT Selenium Doğrultucu El Kitabı ; 2. Baskı; Federal Telefon ve Radyo; 80 sayfa; 1953. (arşiv)
- ST Selenium Doğrultucu El Kitabı ; 1. Baskı; Sarkes Tarzyan; 80 sayfa; 1950. (arşiv)
- Devre kitapları
- 50 Basit LED Devresi ; 1. Baskı; RN Yükselişi; Babani Press; 62 sayfa; 1977; Mayıs ISBN 978-0859340434 . (Arşiv)
- 38 Ev Üreticisi İçin Pratik Test Edilmiş Diyot Devreleri ; 1. Baskı; Bernard Babani; Krisson Printing; 48 sayfa; 1972. (arşiv)
- Diyot Devreleri El Kitabı ; 1. Baskı; Rufus Turner; Howard Sams & Co; 128 sayfa; 1963; LCCN 63-13904. (Arşiv)
- Germanyum Diyotları için 40 Kullanım ; 2. Baskı; Sylvania Elektrik Ürünleri; 47 sayfa; 1949. (arşiv)
- Veri kitapları
- Ayrık Veri Kitabı ; 1985; Fairchild (şimdi Semiconductor'da)
- Ayrık Veri Kitabı ; 1982; SGS (şimdi STMicroelectronics)
- Ayrık Veri Kitabı ; 1978; National Semiconductor (şimdi Texas Instruments)
- Yarıiletken Veri Kitabı ; 1965; Motorola (şimdi Semiconductor'da)
|Wikimedia Commons, Diodes ile ilgili medyaya sahiptir .|
- PIN Diyotlarının Yapısı ve İşlevsel Davranışı - PowerGuru
- Etkileşimli ve animasyonlar