Foto Direnç Nedir?
Bir foto direnç (aynı zamanda ışığa bağımlı direnç, LDR veya foto iletken hücre olarak da bilinir), bileşenin hassas yüzeyinde parlaklık (ışık) alma direncini azaltan pasif bir bileşendir. Bir fotorezistörün direnci, gelen ışık yoğunluğunun artmasıyla azalır; başka bir deyişle, foto iletkenlik sergiler. Işığa duyarlı dedektör devrelerinde ve bir direnç yarı iletkeni olarak işlev gören ışıkla etkinleşen ve karanlıkla etkinleşen anahtarlama devrelerinde bir foto direnç uygulanabilir. Karanlıkta, bir foto direnç birkaç megaohm (MΩ) kadar yüksek bir dirence sahip olabilirken, ışıkta bir foto direnç birkaç yüz ohm kadar düşük bir dirence sahip olabilir. Bir foto direnç üzerine gelen ışık belirli bir frekansı aşarsa, yarı iletken tarafından emilen fotonlar bağlı elektronlara iletim bandına atlamak için yeterli enerji verir. Ortaya çıkan serbest elektronlar (ve onların delik ortakları) elektriği iletir, böylece direnci düşürür. Bir foto rezistörün direnç aralığı ve hassasiyeti, benzer olmayan cihazlar arasında önemli ölçüde farklılık gösterebilir. Ayrıca, benzersiz foto dirençler, belirli dalga boyu bantları içindeki fotonlara büyük ölçüde farklı tepki verebilir.
Bir foto direnç , içsel veya dışsal olabilir. İçsel bir yarı iletkenin kendi yük taşıyıcıları vardır ve örneğin silikon gibi verimli bir yarı iletken değildir. İç aygıtlarda, yalnızca değerlik bandında bulunan elektronlar vardır ve bu nedenle fotonun, elektronu tüm bant aralığı boyunca uyarmak için yeterli enerjiye sahip olması gerekir. Dışsal aygıtlar, temel hal enerjisi iletim bandına daha yakın olan katkı maddeleri olarak da adlandırılan safsızlıklara sahiptir; elektronların atlayacak kadar uzaklığı olmadığından, daha düşük enerjili fotonlar (yani daha uzun dalga boyları ve daha düşük frekanslar) cihazı tetiklemek için yeterlidir. Bir silikon numunesinin bazı atomlarının yerini fosfor atomları (katışıklıklar) alırsa, iletim için fazladan elektronlar olacaktır. Bu, harici bir yarı iletken örneğidir.
Bir foto direnç, bir foto diyot veya bir foto transistörden daha az ışığa duyarlıdır. Son iki bileşen gerçek yarı iletken cihazlardır, foto direnç ise PN bağlantısı olmayan aktif bir bileşendir. Herhangi bir fotorezistörün fotodirenci, ortam sıcaklığına bağlı olarak büyük ölçüde değişebilir, bu da onları ışık fotonlarının hassas ölçümü veya hassasiyeti gerektiren uygulamalar için uygun hale getirmez.
Foto dirençler ayrıca, ışığa maruz kalma ile dirençte meydana gelen azalma arasında, genellikle yaklaşık 10 milisaniye civarında belirli bir gecikme derecesi sergiler. Aydınlık ortamlardan karanlık ortamlara geçerken gecikme süresi, genellikle bir saniye kadar uzundur. Bu özellik, onları hızla yanıp sönen ışıkları algılamak için uygun hale getirmez, ancak bazen ses sinyali sıkıştırmasının yanıtını yumuşatmak için kullanılır.