İlk yarıiletken malzeme geliştirmelerinde germanyum maddesi ticari yarıiletken malzeme olarak kullanılmıştır. Ancak daha sonraları, kolay işleme ve sıcaklık etkilerine daha kararlı olmasından dolayı silikon, yarıiletken malzeme üretiminin vazgeçilmez ana maddesi haline gelmiştir. Bu yüzden, birçok diyot transistor uygulamalarında germanyum yarıiletken malzemelerin yerine silikon malzemeler tercih edilebilmektedir.
Ancak, Germanyum yarıiletken malzemelerde bazı uygulamalarda tercih edilebilmektedir. Germanyum diyotlar tipik olarak 0.2–0.3 V civarında düşük düz besleme eşik voltajına sahiptirler. Germanyum yarıiletkenler; bu özelliklerinden dolayı daha az güç kullanmakta ve dolayısıyla silikon yarıiletkenlere göre birçok açıdan daha tercih edilebilir duruma da gelmektedirler. Silikon diyotlar tipik olarak 0.6–0.7 V civarında düz besleme eşik voltajına sahiptirler. Germanyum diyotların bu şekilde düşük voltaj eşiğine sahip olması, çok düşük seviyeli sinyal uygulamalarında (özellikle FM frekanslarında sinyal tespiti, düşük seviyeli mantık devreleri vb.) önemli bir elektronik malzeme olmalasını sağlamıştır.
Ancak, germanyum diyotların silikon diyotlara göre, ters gerilimle besleme durumunda; ters sızma akımları; IR daha yüksek olmaktadır.
Aşağıda bazı germanyum diyotların teknik özellikleri bir tablo halinde verilmiştir.
Tablo 1 Bazı germanyum diyotların teknik özellikleri